В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: FRFET®, SuperFET® II,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560pF @ 100V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 595W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 38A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-247-4L,
Package / Case: TO-247-4
Описание FCH041N65EFL4
MOSFET N-CH 650V 76A - N-Channel 650V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Транзисторы полевые FCH041N65EFL4
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: FRFET®, SuperFET® II, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560pF @ 100V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 38A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-247-4L, Package / Case: TO-247-4 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров