В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: SuperFET® II,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 1000V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 195W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.5A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220,
Package / Case: TO-220-3
Описание FCP400N80Z
MOSFET N-CH 800V 14A TO220 - N-Channel 800V 14A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-220
Транзисторы полевые FCP400N80Z
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: SuperFET® II, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 1000V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.5A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров