В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
STMicroelectronics
Техническая спецификация
—
Manufacturer: STMicroelectronics,
Series: MDmesh™ II,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V,
Vgs (Max): ±25V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 70W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 4.5A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D-Pak,
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Описание STD11NM50N
MOSFET N-CH 500V 9A DPAK - N-Channel 500V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount D-Pak
Транзисторы полевые STD11NM50N
Наличие
Техническая спецификация
STMicroelectronics |
Manufacturer: STMicroelectronics, Series: MDmesh™ II, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, Vgs (Max): ±25V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 4.5A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D-Pak, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров