В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
STMicroelectronics
Техническая спецификация
—
Manufacturer: STMicroelectronics,
Series: MDmesh™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V,
Vgs (Max): ±25V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644pF @ 100V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 70W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 4.25A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5),
Package / Case: 8-PowerVDFN
Описание STL11N65M5
MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT - N-Channel 650V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount PowerFLAT™ (5x5)
Транзисторы полевые STL11N65M5
Наличие
Техническая спецификация
STMicroelectronics |
Manufacturer: STMicroelectronics, Series: MDmesh™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs (Max): ±25V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644pF @ 100V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 4.25A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5), Package / Case: 8-PowerVDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров