В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Rohm Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Rohm Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Not For New Designs,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 292pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 20W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 2.5A, 10V,
Operating Temperature: -,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: CPT3,
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Описание RDD050N20TL
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 - N-Channel 200V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Транзисторы полевые RDD050N20TL
Наличие
Техническая спецификация
Rohm Semiconductor |
Manufacturer: Rohm Semiconductor, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Not For New Designs, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 292pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 2.5A, 10V, Operating Temperature: -, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: CPT3, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров