В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Central Semiconductor Corp
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Central Semiconductor Corp,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4nC @ 10V,
Vgs (Max): 30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 620mW (Ta), 77W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 2A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: DPAK,
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Описание CDM4-650 TR13
MOSFET N-CH 4A 650V DPAK - N-Channel 650V 4A (Ta) 620mW (Ta), 77W (Tc) Surface Mount DPAK
Транзисторы полевые CDM4-650 TR13
Наличие
Техническая спецификация
Central Semiconductor Corp |
Manufacturer: Central Semiconductor Corp, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4nC @ 10V, Vgs (Max): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 620mW (Ta), 77W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 2A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: DPAK, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров