В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142nC @ 10V,
Vgs (Max): ±12V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PowerDI5060-8,
Package / Case: 8-PowerTDFN
Описание DMN2005UPS-13
MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060 - N-Channel 20V 20A (Ta), 100A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Транзисторы полевые DMN2005UPS-13
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142nC @ 10V, Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Package / Case: 8-PowerTDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров