В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: HEXFET®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 20A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PQFN (5x6),
Package / Case: 8-PowerTDFN
Описание IRFH8324TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN - N-Channel 30V 23A (Ta), 90A (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Транзисторы полевые IRFH8324TR2PBF
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: HEXFET®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 20A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Package / Case: 8-PowerTDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров