В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Rohm Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Rohm Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 5V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134 mOhm @ 2A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95),
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Описание RSQ020N03TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 - N-Channel 30V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Транзисторы полевые RSQ020N03TR
Наличие
Техническая спецификация
Rohm Semiconductor |
Manufacturer: Rohm Semiconductor, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134 mOhm @ 2A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров