В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.54pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 425mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 3-DFN1006 (1.0x0.6),
Package / Case: 3-UFDFN
Описание DMP56D0UFB-7
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN - P-Channel 50V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Транзисторы полевые DMP56D0UFB-7
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.54pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 425mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 3-DFN1006 (1.0x0.6), Package / Case: 3-UFDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров