В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 270mA, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: SOT-323,
Package / Case: SC-70, SOT-323
Описание DMN53D0LW-7
MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 - N-Channel 50V 360mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Транзисторы полевые DMN53D0LW-7
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 270mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-323, Package / Case: SC-70, SOT-323 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров