Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Transphorm
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Transphorm,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: GaNFET (Gallium Nitride),
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc),
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 400V,
FET Feature: -,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C,
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220,
Package / Case: TO-220-3
Описание TPH3208PD
MOSFET N-CH 650V 20A TO220 - N-Channel 650V 20A (Tc)Through Hole TO-220
Транзисторы полевые TPH3208PD
Техническая спецификация
| Transphorm |
| Manufacturer: Transphorm, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 400V, FET Feature: -, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Под заказ 3-4 недели
112 ₽
Варианты цен
112 ₽
Есть в наличии: 10
5 600 ₽
Варианты цен
5 600 ₽
Под заказ 3-4 недели
135 660 ₽
Варианты цен
135 660 ₽
Под заказ 3-4 недели
311 ₽
Варианты цен
311 ₽
Под заказ 3-4 недели
259 ₽
Варианты цен
259 ₽
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
7 ₽
Варианты цен
7 ₽
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
781 ₽
Варианты цен
781 ₽
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
211 ₽
Варианты цен
211 ₽
Под заказ 3-4 недели
173 ₽
Варианты цен
173 ₽
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели

