В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
STMicroelectronics
Техническая спецификация
—
Manufacturer: STMicroelectronics,
Series: MDmesh™ II Plus,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5nC @ 10V,
Vgs (Max): ±25V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781pF @ 100V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 190W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 13A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262),
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Описание STI33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK - N-Channel 600V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Транзисторы полевые STI33N60M2
Наличие
Техническая спецификация
STMicroelectronics |
Manufacturer: STMicroelectronics, Series: MDmesh™ II Plus, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5nC @ 10V, Vgs (Max): ±25V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781pF @ 100V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 13A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: I2PAK (TO-262), Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров