В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
EPC
Техническая спецификация
—
Manufacturer: EPC,
Series: eGaN®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: GaNFET (Gallium Nitride),
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta),
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 20V,
FET Feature: -,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Описание EPC2030
MOSFET NCH 40V 31A DIE - N-Channel 40V 31A (Ta)
Транзисторы полевые EPC2030
Наличие
Техническая спецификация
EPC |
Manufacturer: EPC, Series: eGaN®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 20V, FET Feature: -, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров