В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Central Semiconductor Corp
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Central Semiconductor Corp,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.4nC @ 10V,
Vgs (Max): 30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 100V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 40W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 6A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220FP,
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Описание CDM22012-800LRFP SL
MOSFET N-CH 800V 12A - N-Channel 800V 12A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Транзисторы полевые CDM22012-800LRFP SL
Наличие
Техническая спецификация
Central Semiconductor Corp |
Manufacturer: Central Semiconductor Corp, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.4nC @ 10V, Vgs (Max): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 100V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 6A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220FP, Package / Case: TO-220-3 Full Pack |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров