В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
STMicroelectronics
Техническая спецификация
—
Manufacturer: STMicroelectronics,
Series: SuperMESH3™,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 620V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 30W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281),
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Описание STFI6N62K3
MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP - N-Channel 620V 5.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Транзисторы полевые STFI6N62K3
Наличие
Техническая спецификация
STMicroelectronics |
Manufacturer: STMicroelectronics, Series: SuperMESH3™, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 620V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281), Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров