В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Nexperia USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Nexperia USA Inc.,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 47W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: I2PAK,
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Описание PSMN017-30EL,127
MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK - N-Channel 30V 32A (Tc) 47W (Tc) Through Hole I2PAK
Транзисторы полевые PSMN017-30EL,127
Наличие
Техническая спецификация
Nexperia USA Inc. |
Manufacturer: Nexperia USA Inc., Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: I2PAK, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров