В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: Automotive, AEC-Q101,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 70A (Tc),
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841pF @ 30V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: TO-252-4L,
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Описание DMTH6010SK3Q-13
MOSFET NCH 60V 16.3A TO252 - N-Channel 60V 16.3A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252-4L
Транзисторы полевые DMTH6010SK3Q-13
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: Automotive, AEC-Q101, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 70A (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841pF @ 30V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-252-4L, Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров