В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Rohm Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Rohm Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±12V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 10A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: HUML2020L8,
Package / Case: 8-PowerUDFN
Описание RF4E100AJTCR
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8 - N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount HUML2020L8
Транзисторы полевые RF4E100AJTCR
Наличие
Техническая спецификация
Rohm Semiconductor |
Manufacturer: Rohm Semiconductor, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 10A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: HUML2020L8, Package / Case: 8-PowerUDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров