В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Taiwan Semiconductor Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Taiwan Semiconductor Corporation,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 89W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 18A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6),
Package / Case: 8-PowerTDFN
Описание TSM045NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN - N-Channel 30V 108A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Транзисторы полевые TSM045NA03CR RLG
Наличие
Техническая спецификация
Taiwan Semiconductor Corporation |
Manufacturer: Taiwan Semiconductor Corporation, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 18A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Package / Case: 8-PowerTDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров