В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Nexperia USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Nexperia USA Inc.,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795pF @ 15V,
FET Feature: Schottky Diode (Body),
Power Dissipation (Max): 65W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: LFPAK33,
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Описание PSMN4R2-30MLDX
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 - N-Channel 30V 70A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount LFPAK33
Транзисторы полевые PSMN4R2-30MLDX
Наличие
Техническая спецификация
Nexperia USA Inc. |
Manufacturer: Nexperia USA Inc., Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795pF @ 15V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: LFPAK33, Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров