В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Nexperia USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Nexperia USA Inc.,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±12V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 6-TSOP,
Package / Case: SC-74, SOT-457
Описание PMN48XP,115
MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP - P-Channel 20V 4.1A (Ta) 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Транзисторы полевые PMN48XP,115
Наличие
Техническая спецификация
Nexperia USA Inc. |
Manufacturer: Nexperia USA Inc., Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 6-TSOP, Package / Case: SC-74, SOT-457 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров