В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: TrenchFET®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 3A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236),
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Описание SI2372DS-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 30V SOT23 - N-Channel 30V 4A (Ta), 5.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Транзисторы полевые SI2372DS-T1-GE3
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: TrenchFET®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 3A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров