В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: U-MOSIII,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,
Operating Temperature: 150°C,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: CST3C,
Package / Case: SC-101, SOT-883
Описание SSM3K15ACTC,L3F
MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C - N-Channel 30V 100mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3C
Транзисторы полевые SSM3K15ACTC,L3F
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: U-MOSIII, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V, Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: CST3C, Package / Case: SC-101, SOT-883 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров