В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Rohm Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Rohm Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±12V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V,
FET Feature: Schottky Diode (Isolated),
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2A, 4.5V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: TSMT5,
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Описание QS5U28TR
MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5 - P-Channel 20V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5
Транзисторы полевые QS5U28TR
Наличие
Техническая спецификация
Rohm Semiconductor |
Manufacturer: Rohm Semiconductor, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2A, 4.5V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TSMT5, Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров