В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: U-MOSVI,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3A, 4.5V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: ES6,
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Описание SSM6J215FE(TE85L,F
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 - P-Channel 20V 3.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Транзисторы полевые SSM6J215FE(TE85L,F
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: U-MOSVI, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3A, 4.5V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: ES6, Package / Case: SOT-563, SOT-666 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров