В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: DTMOSIV,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 300V,
FET Feature: Super Junction,
Power Dissipation (Max): 270W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 19.4A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-3P(N),
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Описание TK39J60W5,S1VQ
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N) - N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Транзисторы полевые TK39J60W5,S1VQ
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: DTMOSIV, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 300V, FET Feature: Super Junction, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 19.4A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-3P(N), Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров