В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: TrenchFET®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V,
Vgs (Max): ±16V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 17A, 10V,
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8,
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Описание SI7613DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK - P-Channel 20V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Транзисторы полевые SI7613DN-T1-GE3
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: TrenchFET®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V, Vgs (Max): ±16V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 17A, 10V, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Package / Case: PowerPAK® 1212-8 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров