В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Texas Instruments
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Texas Instruments,
Series: NexFET™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V,
Vgs (Max): -6V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512pF @ 6V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 500mA, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1),
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Описание CSD23202W10T
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA - P-Channel 12V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Транзисторы полевые CSD23202W10T
Наличие
Техническая спецификация
Texas Instruments |
Manufacturer: Texas Instruments, Series: NexFET™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V, Vgs (Max): -6V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512pF @ 6V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 500mA, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1), Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров