В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: TrenchFET®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 8V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 6V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 3A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6),
Package / Case: 4-UFBGA
Описание SI8457DB-T1-E1
MOSFET P-CH 12V MICROFOOT - P-Channel 12V1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Транзисторы полевые SI8457DB-T1-E1
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: TrenchFET®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 8V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 6V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 3A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6), Package / Case: 4-UFBGA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров