В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: PowerTrench®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65 mOhm @ 55A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: Power56,
Package / Case: 8-PowerTDFN
Описание FDMS8050ET30
MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN - N-Channel 30V 55A (Ta), 423A (Tc) 3.3W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount Power56
Транзисторы полевые FDMS8050ET30
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: PowerTrench®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65 mOhm @ 55A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: Power56, Package / Case: 8-PowerTDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров