В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: U-MOSIX-H,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600pF @ 22.5V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc),
Operating Temperature: 175°C,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance,
Package / Case: 8-PowerVDFN
Описание TPW1R005PL,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR - N-Channel 45V 300A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Транзисторы полевые TPW1R005PL,L1Q
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: U-MOSIX-H, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 45V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600pF @ 22.5V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Package / Case: 8-PowerVDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров