В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: TrenchFET®,
Packaging: Cut Tape (CT),
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 4A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-SO,
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Описание SI4455DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO - P-Channel 150V 2A (Ta) 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
Транзисторы полевые SI4455DY-T1-GE3
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: TrenchFET®, Packaging: Cut Tape (CT), Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 4A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров