В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Texas Instruments
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Texas Instruments,
Series: NexFET™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V,
Vgs (Max): +10V, -8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365pF @ 12.5V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 8V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-SON,
Package / Case: 8-PowerTDFN
Описание CSD16322Q5C
MOSFET N-CH 25V 97A 8SON - N-Channel 25V 21A (Ta), 97A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SON
Транзисторы полевые CSD16322Q5C
Наличие
Техническая спецификация
Texas Instruments |
Manufacturer: Texas Instruments, Series: NexFET™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V, Vgs (Max): +10V, -8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365pF @ 12.5V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 8V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SON, Package / Case: 8-PowerTDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров