В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: UniFET™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 89W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D-Pak,
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63,
Base Part Number: FDD6N50
Описание FDD6N50TM-WS
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK - N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Транзисторы полевые FDD6N50TM-WS
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: UniFET™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D-Pak, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Base Part Number: FDD6N50 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров