В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Texas Instruments
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Texas Instruments,
Series: NexFET™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2),
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Описание CSD19538Q2T
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON - N-Channel 100V 13.1A (Tc) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)
Транзисторы полевые CSD19538Q2T
Наличие
Техническая спецификация
Texas Instruments |
Manufacturer: Texas Instruments, Series: NexFET™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров