В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 5V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 600mA, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: SOT-23,
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Описание ZXMP10A13FQTA
MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 - P-Channel 100V 600mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Транзисторы полевые ZXMP10A13FQTA
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 600mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров