В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: SIPMOS®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 5V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 25V,
FET Feature: Depletion Mode,
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-SOT23-3,
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Описание BSS126H6906XTSA1
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 - N-Channel 600V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Транзисторы полевые BSS126H6906XTSA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: SIPMOS®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 25V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-SOT23-3, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров