В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Nexperia USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Nexperia USA Inc.,
Series: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V,
Vgs (Max): ±10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 37W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 2A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8,
Package / Case: SC-100, SOT-669
Описание BUK9Y153-100E,115
MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK - N-Channel 100V 9.4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Транзисторы полевые BUK9Y153-100E,115
Наличие
Техническая спецификация
Nexperia USA Inc. |
Manufacturer: Nexperia USA Inc., Series: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V, Vgs (Max): ±10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 2A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Package / Case: SC-100, SOT-669 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров