В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,
Vgs (Max): ±12V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.5A, 4V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: ES6 (1.6x1.6),
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Описание SSM6K202FE,LF
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6 - N-Channel 30V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Транзисторы полевые SSM6K202FE,LF
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.5A, 4V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: ES6 (1.6x1.6), Package / Case: SOT-563, SOT-666 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров