В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: U-MOSIII,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6nC @ 4V,
Vgs (Max): ±10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 4V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: UFM,
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Описание SSM3K123TU,LF
MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM - N-Channel 20V 4.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Транзисторы полевые SSM3K123TU,LF
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: U-MOSIII, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6nC @ 4V, Vgs (Max): ±10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 4V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: UFM, Package / Case: 3-SMD, Flat Leads |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров