В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Nexperia USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Nexperia USA Inc.,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23),
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Описание BSH205G2R
MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 - P-Channel 20V 2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Транзисторы полевые BSH205G2R
Наличие
Техническая спецификация
Nexperia USA Inc. |
Manufacturer: Nexperia USA Inc., Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров