В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 15V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 700W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 11A, 20V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Chassis Mount,
Supplier Device Package: SOT-227B,
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Описание IXTN22N100L
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 - N-Channel 1000V 22A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Транзисторы полевые IXTN22N100L
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 15V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 11A, 20V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Supplier Device Package: SOT-227B, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров