В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Transphorm
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Transphorm,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: GaNFET (Gallium Nitride),
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.65V @ 700µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 8V,
Vgs (Max): ±18V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2197pF @ 400V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 178W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 32A, 8V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-247,
Package / Case: TO-247-3
Описание TPH3207WS
MOSFET N-CH 650V 50A TO247 - N-Channel 650V 50A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247
Транзисторы полевые TPH3207WS
Наличие
Техническая спецификация
Transphorm |
Manufacturer: Transphorm, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.65V @ 700µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 8V, Vgs (Max): ±18V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2197pF @ 400V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 178W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 32A, 8V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-247, Package / Case: TO-247-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров