В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: TrenchFET®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236),
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Описание SI2325DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23 - P-Channel 150V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Транзисторы полевые SI2325DS-T1-GE3
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: TrenchFET®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров