В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA,
Vgs (Max): ±10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 3V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V,
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3,
Package / Case: 3-XFDFN
Описание DMN2005LP4K-7
MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN - N-Channel 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Транзисторы полевые DMN2005LP4K-7
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA, Vgs (Max): ±10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 3V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Package / Case: 3-XFDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров