В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
STMicroelectronics
Техническая спецификация
—
Manufacturer: STMicroelectronics,
Series: PowerMESH™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 140W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 1.3A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: H²PAK,
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Описание STH3N150-2
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2 - N-Channel 1500V 2.5A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount H²PAK
Транзисторы полевые STH3N150-2
Наличие
Техническая спецификация
STMicroelectronics |
Manufacturer: STMicroelectronics, Series: PowerMESH™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 1.3A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: H²PAK, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров