Техническая спецификация
Производитель
—
NXP USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: NXP USA Inc.,
Series: -,
Part Status: Active,
Transistor Type: LDMOS,
Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz,
Gain: 15.7dB,
Voltage - Test: 30V,
Current Rating: 10µA,
Noise Figure: -,
Current - Test: 800mA,
Power - Output: 390W,
Voltage - Rated: 65V,
Package / Case: NI-1230S-4S4S,
Supplier Device Package: NI-1230S-4S4S
Описание A2T21H450W19SR6
2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S - RF Mosfet LDMOS 30V 800mA 2.11GHz ~ 2.2GHz 15.7dB 390W NI-1230S-4S4S
Транзисторы полевые A2T21H450W19SR6
Техническая спецификация
| NXP USA Inc. |
| Manufacturer: NXP USA Inc., Series: -, Part Status: Active, Transistor Type: LDMOS, Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz, Gain: 15.7dB, Voltage - Test: 30V, Current Rating: 10µA, Noise Figure: -, Current - Test: 800mA, Power - Output: 390W, Voltage - Rated: 65V, Package / Case: NI-1230S-4S4S, Supplier Device Package: NI-1230S-4S4S |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Есть в наличии: 10
5 040 ₽
Варианты цен
5 040 ₽
Под заказ 3-4 недели
112 ₽
Варианты цен
112 ₽
Под заказ 3-4 недели
135 660 ₽
Варианты цен
135 660 ₽
Под заказ 3-4 недели
311 ₽
Варианты цен
311 ₽
Под заказ 3-4 недели
259 ₽
Варианты цен
259 ₽
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
781 ₽
Варианты цен
781 ₽
Под заказ 3-4 недели
7 ₽
Варианты цен
7 ₽
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
211 ₽
Варианты цен
211 ₽
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
173 ₽
Варианты цен
173 ₽
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели

