Техническая спецификация
Производитель
—
NXP USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: NXP USA Inc.,
Series: -,
Part Status: Active,
Transistor Type: LDMOS,
Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz,
Gain: 17.7dB,
Voltage - Test: 48V,
Current Rating: -,
Noise Figure: -,
Current - Test: 200mA,
Power - Output: 52dBm,
Voltage - Rated: 125V,
Package / Case: NI-400S-2S,
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Описание A2G22S251-01SR3
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR - RF Mosfet LDMOS 48V 200mA 1.805GHz ~ 2.2GHz 17.7dB 52dBm NI-400S-2S
Транзисторы полевые A2G22S251-01SR3
Техническая спецификация
| NXP USA Inc. |
| Manufacturer: NXP USA Inc., Series: -, Part Status: Active, Transistor Type: LDMOS, Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz, Gain: 17.7dB, Voltage - Test: 48V, Current Rating: -, Noise Figure: -, Current - Test: 200mA, Power - Output: 52dBm, Voltage - Rated: 125V, Package / Case: NI-400S-2S, Supplier Device Package: NI-400S-2S |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Есть в наличии: 10
5 040 ₽
Варианты цен
5 040 ₽
Под заказ 3-4 недели
112 ₽
Варианты цен
112 ₽
Под заказ 3-4 недели
135 660 ₽
Варианты цен
135 660 ₽
Под заказ 3-4 недели
311 ₽
Варианты цен
311 ₽
Под заказ 3-4 недели
259 ₽
Варианты цен
259 ₽
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
781 ₽
Варианты цен
781 ₽
Под заказ 3-4 недели
7 ₽
Варианты цен
7 ₽
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
211 ₽
Варианты цен
211 ₽
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
173 ₽
Варианты цен
173 ₽
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели
Под заказ 3-4 недели

