В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
STMicroelectr.
Техническая спецификация
—
Структура: N-канал,
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600,
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13,
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -,
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 260,
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: -,
Крутизна характеристики S,А/В: -,
Особенности: -,
Температура, С: -,
Корпус: TO-263-3
Описание STB18NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.26 Ом, 13 А, [D2-PAK]
STB18NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.26 Ом, 13 А, [D2-PAK] - Транзисторы полевые
Транзисторы полевые STB18NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.26 Ом, 13 А, [D2-PAK]
Наличие
Техническая спецификация
STMicroelectr. |
Структура: N-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13, Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 260, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: -, Крутизна характеристики S,А/В: -, Особенности: -, Температура, С: -, Корпус: TO-263-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров